從原料源頭把控產(chǎn)品品質(zhì)
良好的性能來自一絲不茍的執(zhí)著15000622093
1、 空心陰極燈的強(qiáng)短脈沖供電電源
與 DC-HCL 或 CP-HCL 供電電源相比,HCMP-HCL 供電電源需要進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),電源要提供微秒寬度的脈沖,峰值工作電流 一般為幾安培,大可到十幾安培。下圖所示為強(qiáng)短脈沖電源示意圖。
強(qiáng)短脈沖供電時(shí),HCL 工作在大電流狀態(tài),電流一般為幾安培,對(duì)個(gè)別元素的 HCL,工作電流大可高達(dá)20A。脈沖一般為亞微秒到幾個(gè)微秒寬度,典型值為1. 0?4. 0μs。脈沖頻率為200?1000Hz,在進(jìn)行脈沖頻率對(duì)放電性能影響實(shí)驗(yàn)時(shí),大脈沖頻率可達(dá)2000Hz。
HCMP-HCL 電源主要由三部分組成:①脈沖輸入以及由三極 管組成的驅(qū)動(dòng)電路;②高壓電路(HV);③測(cè)量電路,其中Rob1為測(cè)量 HCL 作電流而設(shè)置,R和Rob2形成的旁路則為了測(cè)量 HCL 工作時(shí)的電壓降。
2、 強(qiáng)短脈沖供電空心陰極燈的放電特性
空心陰極燈放電特性曲線表明了 HCL 在工作過程中電壓-電流之間的關(guān)系。處于正常工作狀態(tài)的 HCL,其伏安特性曲線應(yīng)在輝光放電伏安特性曲線的正常輝光放電區(qū)域。下圖所示為 HCL 工作在 CP 和 HCMP 狀態(tài)時(shí)的伏安特性曲線。圖中表明,與 CP 供電方式相比,HCMP 供電時(shí) HCL 獲得了更高的能量,HCMP- HCL 獲得的瞬時(shí)功率要比 CP 狀態(tài)時(shí)大約高102?103倍。高的能量使 HCL 在陰極濺射、粒子碰撞、激發(fā)和發(fā)射的過程具有自己的特點(diǎn)。
HCMP-HCL 的伏安特性曲線有一“平臺(tái)”,表明在 HCL 工作時(shí)的每一個(gè)脈沖內(nèi),其大工作電壓達(dá)到了 “飽和”狀態(tài)。對(duì) HCL 伏安特性曲線這一“平臺(tái)”的進(jìn)一步研究表明,HCL 工作的大電壓除與陰極材料、工作氣體以及陰極和陽極間距有關(guān)外,與 HCMP 高壓電源的大輸出電壓密切相關(guān)。同樣 HCL 在 HCMP 供電時(shí),伏安特性曲線中“平臺(tái)”的高或低隨電源高壓輸出的升高而升高。這一結(jié)果預(yù)示,目前 HCMP-HCL 電源僅能使 HCL 工作在正常的輝光放電區(qū)域,還未達(dá)到使其“燒毀”的電弧放電區(qū),同時(shí)也預(yù)示 HCL 的瞬時(shí)功率還可能更高。
相關(guān)研究的結(jié)果還表明,HCMP-HCL 伏安特性曲線受脈沖頻率的影響不大,而脈沖寬度對(duì)伏安曲線的影響也不十分明顯。
3、 強(qiáng)短脈沖供電空心陰極燈的發(fā)射光譜
對(duì) HCMP-HCL 發(fā)射光譜的研究更能直接說明其在原子/離子熒光光譜研究中的重要性和實(shí)用性。黃本立等的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,HCMP-HCL 可發(fā)射強(qiáng)的離子線和原子線;與直流供電相比, 離子線強(qiáng)度的增加可達(dá) IM 倍以上;原子線強(qiáng)度的增加雖比離子線增加幅度稍低,但仍然很可觀。這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明,HCMP- HCL 有望成為原子光譜學(xué)研究中的離子線/原子線光源,也有望成為離子熒光光譜、原子熒光光譜研究中廉價(jià)、實(shí)用的激發(fā)光源。
對(duì) HCMP-HCL 發(fā)射光譜的詳細(xì)研究,張紹雨等進(jìn)行了非常有代表性的研究工作。
Eu HCL:上海電光器廠;單色儀出射、入射狹縫:10Mm; PMT 負(fù)高壓:一900V;
PMT 負(fù)載:DC 供電1MC, HCMP 供電50Q; DC 供電電流:6. 0mA; HCMP 供電:
頻率200Hz,脈沖寬度3.03,脈沖電流10A
1—Eu II 372. 494nm; 2—Eu II 381. 967nm; 3—Eu II 390. 048nm;
4— Eu II 393.048; 5—Eu II 397. 196nm; 6—Eu II 412. 970nm;
7—Eu II 420. 505nm; 8一Eu II 443. 553nm; 9—Eu I 459. 403nm;
10—Eu I 462. 722nm; 11—Eu I 466. 188nm
YHCL:河北衡水寧強(qiáng)光源廠;單色儀出射、入射狹縫:lOfim; PMT 負(fù)高壓:一900V;
PMT負(fù)載:DC供電1MC, HCMP供電50(1;DC供電電流:10.0mA; HCMP 供電:
頻率200Hz,脈沖寬度3. 0^s,脈沖電流16. 7A
1—Y II 371. 030nm; 2—Y Il 377. 433nm; 3—Y II 378. 780nm 4一Y II 383. 288nm;
4— Y I 407. 738; 6—Y I 410. 238nm; 7—YI 412. 831nm;8—丫 I 414. 285nm;
9—Y II 417. 154nm; 10—Y II 423. 573nm+Y I 423. 594nm; 11—Y II430. 963nm;
12—Y II 437. 494nm; 13—Y I 464. 370nm; 14—Y I 467. 484nm
上面兩圖分別為 Eu、Y 的 HCL 在 HCMP 供電時(shí)的發(fā)射光譜,圖中同時(shí)還列出了同一 HCL 在 DC 供電時(shí)的發(fā)射光譜,以進(jìn)行比較。圖中表明,在370?470nm 的波長范圍內(nèi),DC 供電時(shí) Eu HCL 有3條發(fā)射強(qiáng)度較高的原子線 Eu I 459. 403nm、Eu I 462. 722nm、Eu I 466. 188nm,而離子 線的發(fā)射強(qiáng)度都較弱;HCMP 供電時(shí) Eu HCL 除發(fā)射上述3條原子線外,Eu II 381. 967nm、Eu H 420. 505nm 等離子線的強(qiáng)度都超過了原子線的發(fā)射強(qiáng)度。圖中所示為Y HCL 在 DC 供電、 HCMP 供電時(shí)的發(fā)射光譜,圖中實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Y HCL 在 HCMP 供電時(shí)的發(fā)射光譜也有相當(dāng)?shù)卦鰪?qiáng),與 Eu HCL 在兩種供電狀態(tài)時(shí)的結(jié)論基本一致。